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關(guān)于非接觸式IC智能(射頻)卡及其讀寫設備內(nèi)核技術(shù)的研究與應用開發(fā)(連載4)

文章出處:http://m.dipdnbxp.cn 作者:張敏   人氣: 發(fā)表時間:2011年11月01日

[文章內(nèi)容簡介]:關(guān)于非接觸式IC智能(射頻)卡及其讀寫設備內(nèi)核技術(shù)的研究與應用開發(fā)(連載4)

在上述表中,僅當DV(Data Valid數(shù)據(jù)有效)位被設置有效時(即DV=”1”) ,TE,PE,CE,BE及AE標志才有效。但有一例外,即 當認證(Authentication)正確完成后,AE標志也直接有效。
  SOR是Software Reset(軟件復位)的縮寫。當執(zhí)行SOR后,所有的這些標志將被清除,且當對MCM的任何一個寄存器執(zhí)行寫周期時,所有的這些標志也將被清除。詳見SOR后的復位表。
  當對MCM內(nèi)的任何一個寄存器執(zhí)行寫周期時,所有的這些標志也將被清除;僅當FIFO是空時,DV標志將被寫周期清除。
有時侯MCM接收少于8 bits(例如 在接收ACK 或NACK時)時,MCM將不影響PE, CE, 及AE標志。
  在MCU與MCM, MCM與Mifare 1卡片進行數(shù)據(jù)通信時,經(jīng)常會出現(xiàn)各種錯誤。例如,卡片沒能認證(Authentication) 通過, 則會使AE出錯位置位,等等。
  以下是在檢查DV位之后,相關(guān)的出錯情況,列為下表:


  注意,送到卡片上的所有的命令和數(shù)據(jù)都提供奇/偶校驗(parity) 和CRC 檢查( 但“REQUEST”命令操作除外)。這是由卡片上的ASIC負責檢查。

3、ENABLE 寄存器,地址:02H
  ENABLE 寄存器的設置將影響卡片在通信時對 parity 和CRC 的校驗。在ENABLE寄存器中有針對 parity 和CRC 校驗的復位允許位(reset ENABLE bits)。

  在對MCM進行編程的開始時,必須對ENABLE寄存器進行寫操作,即必須將CE位關(guān)閉。僅當執(zhí)行”Select”命令操作時才打開CE位:
由于MCM在電源接通時或在任何數(shù)據(jù)通信開始時,都會復位parity 和CRC塊,因此無須額外地去執(zhí)行這一操作。

4.BCNTS 寄存器,地址: 03H

  BCNTS是英文Bit-Counter-for-Sending的縮寫,意為傳送時的位計數(shù)器(寄存器)。 這里的傳送指的是CPU向MCM的DATA寄存器寫數(shù)據(jù)。因此BCNTS寄存器實際上是一個字節(jié)發(fā)送控制器,它控制了MCU向DATA寄存器中寫進的數(shù)據(jù)字節(jié)數(shù)目。
  例如,設置BCTRS=10H,則可向MCM的DATA寄存器寫進的數(shù)據(jù)字節(jié)數(shù)目為2個(8位字長的數(shù)據(jù),因為總的bit數(shù)目=10H=16D),多余的數(shù)據(jù),MCM將不予接收。
  由于BCNTS寄存器是控制向DATA寄存器寫數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)目,因此這一操作必須在數(shù)據(jù)寫入DATA寄存器之前完成。使用2進制代碼來操作。
  在大量的字節(jié)數(shù)據(jù)被寫入DATA寄存器之后,MCM自動地與卡片進行通信。寫入DATA寄存器的bits數(shù)量由BCNTS寄存器制定,保持。

5。BCNTR寄存器, 04H


  BCNTR是英文Bit-Counter-for-Receiving的縮寫,意為接收時的位計數(shù)器(寄存器)。

  與BCNTS寄存器相反, BCNTR寄存器控制了MCU讀取DATA寄存器的數(shù)據(jù)字節(jié)數(shù)目
  例如,設置BCNTR=20H,則可向MCM的DATA寄存器讀取的數(shù)據(jù)字節(jié)數(shù)目為4個(8位字長的數(shù)據(jù),因為總的bit數(shù)目=20H=32D),多余的數(shù)據(jù),MCM將不予理會。
  由于BCNTR寄存器是控制向DATA寄存器讀取數(shù)據(jù)的字節(jié)數(shù)目,因此這一操作必須在讀DATA寄存器之前完成。使用2進制代碼來操作。
BCNTR寄存器中的值將與實際接收到的數(shù)據(jù)字節(jié)相比較,如果有差別,則STACON寄存器中的BE標志被設置。

6。BAUDRATE 寄存器, 地址: 05H


  BAUDRATE 意為數(shù)據(jù)傳輸?shù)娇ㄆ匣蚩ㄆ系臄?shù)據(jù)傳到MCM時通信的位速率。雖然BAUDRATE 寄存器的后四位相關(guān)與指定的位速率,但是實際有用于MIFARE 1卡的只是最后一位。


  BAUDRATE 寄存器的設置將直接影響著MCM與Mifare 1卡片之間的數(shù)據(jù)通信速率。
  MCM中有一個時鐘發(fā)生器。寫數(shù)據(jù)至BAUDRATE 寄存器,可以控制 時鐘發(fā)生器(CLOCK GENERATOR)。以下是位速率的計算公式:

7。TOC 寄存器, 地址: 06H


  TOC是Time Out Counter ((定)時間溢出記數(shù)器 ) 的縮寫。
Zhang28
  TOC 寄存器中的值 (非零值) 將在 沒有通信時,永久地被遞減。因此,在沒有通信時,或通信剛結(jié)束時,TOC 寄存器中的值必須被設置,即設置TOC = 0x00H. 例如: 在FIFO中的數(shù)據(jù)有效時,就必須這樣做。否則將影響STACON寄存器的TE出錯標志。
  如果有溢出出現(xiàn),則TE標志被設置,DV標志被激活。
  在完成寫數(shù)據(jù)到DATA寄存器,定時溢出記數(shù)器 應該經(jīng)常被初始化。但有個例外,即 在認證操作(AUTHENCATION)的開始時段,定時溢出記數(shù)器 應該在存取“KEYSTACON” 和“KEYADDR”寄存器 之后,在存取DATA寄存器之前 被初始化。
  一般地在讀?。≧ead)和保存(save)了STACON寄存器中的數(shù)據(jù)之后 定時溢出記數(shù)器必須被關(guān)閉。

8.MODE寄存器, 地址: 07H


  MODE 意為在與卡片數(shù)據(jù)相互往來時的數(shù)據(jù)編碼模式 (MODE of DATA coding)。MODE寄存器的設置控制了MCM在與卡片數(shù)據(jù)相互通信時的數(shù)據(jù)編碼模式.
  MODE寄存器的每一位都與數(shù)據(jù)通信模式有關(guān),但在使用MIFARE 1卡時,只有最后3 位(BITS)最為關(guān)聯(lián)。

  MODE 寄存器 中的P2 ,P1 ,及P0位決定了在NPAUSE0 和NPAUSE1引腳上的各自的脈沖寬度。脈沖寬度的可變范圍在 2 ~ 3 us 之間。
  在使用MIFARE卡時,P2 ,P1 ,及P0位應被設置為 111 b 或110 b。
  這里必須提醒讀者注意的是,當我們使用CM200(Philiphs產(chǎn)品)時與使用SB201(UniVision Engineering Limited聯(lián)視工程有限公司的產(chǎn)品)時,MODE 寄存器的設置值將不一樣。
  使用CM200(Philiphs產(chǎn)品)時, MODE 寄存器的設置值應為: “1100 0110b”,即C6H,但在使用SB201(UniVision Engineering Limited聯(lián)視工程有限公司的產(chǎn)品)時, MODE 寄存器的設置值應為: “1101 0110b”,即D6H。這是兩個產(chǎn)品唯一存在的硬件上的不兼容,導致軟件的設置值不同。 否則由于數(shù)據(jù)通信時的數(shù)據(jù)編碼模式不相同,MCM將不能正常工作,不能讀/寫Mifare 1卡片。在實際應用中已有此經(jīng)驗教訓。

9. CRCDATA 寄存器, 地址: 08H
  被計算CRC的數(shù)據(jù)必須被寫入CRCDATA寄存器中。 計算后的CRC必須從CRCDATA 寄存器中讀出。

  在寫入一個BYTE(字節(jié))到CRCDATA 寄存器后,計算將開始。計算完成后,STACON寄存器的CV標志被設置。當我們要寫下一個字節(jié)到CRCDATA 寄存器之前,或在讀取CRCDATA寄存器以得到CRC之前,或在檢查CZ標志之前,都必須先讀取CV標志,檢查CV標志。(待續(xù))

本文關(guān)鍵詞:關(guān)于非接觸式IC智能射頻卡及其讀寫設備內(nèi),于非接觸式IC智能射頻卡及其讀寫設備內(nèi)核,非接觸式IC智能射頻卡及其讀寫設備內(nèi)核技,接觸式IC智能射頻卡及其讀寫設備內(nèi)核技術(shù),觸式IC智能射頻卡及其讀寫設備內(nèi)核技術(shù)的,式IC智能射頻卡及其讀寫設備內(nèi)核技術(shù)的研,IC智能射頻卡及其讀寫設備內(nèi)核技術(shù)的研究,C智能射頻卡及其讀寫設備內(nèi)核技術(shù)的研究與,智能射頻卡及其讀寫設備內(nèi)核技術(shù)的研究與應,能射頻卡及其讀寫設備內(nèi)核技術(shù)的研究與應用,射頻卡及其讀寫設備內(nèi)核技術(shù)的研究與應用開,頻卡及其讀寫設備內(nèi)核技術(shù)的研究與應用開發(fā),卡
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